Samsung объявила о создании кэш‑памяти для мобильных процессоров по 10‑нм техпроцессу и о готовности к запуску ее массового производства в самом начале 2017 года. Таким образом корейцы могут обойти Intel и TSMC, тоже планирующих ускорить движение к следующему шагу минимизации.

Логотип Samsung

Создаваемая с применением технологии FinFET новая память Samsung будет компоноваться в модули по 128 Мбит (16 МБ). Это очень серьезный объем для мобильного процессора, даже если учесть, что в реальных чипах он появится лишь в 2017‑м.

Память будет в формате S‑RAM, более быстром, чем D‑RAM. Samsung отмечает, что созданные по 10‑нм технологии модули на 37% компактнее производимых сейчас по 14‑нм. Вкупе с уменьшением всех остальных компонентов, это позволит сделать процессор заметно меньше по размеру, освободив место на плате под другие детали. В то же время, можно сохранить его размер, добавив что‑то в сам чип.

[via G for Games]