Samsung во время фирменной конференции Samsung Mobile Solutions Forum, проводимой в Китае, представила 6‑ГБ модуль оперативной памяти LPDDR4, выполненный по 10‑нм техпроцессу. Аналитики уверены, что впервые его применят в фаблете Galaxy Note6, анонс которого ожидается в августе.

Демонстрационный стенд по 10-нм памяти

Как и в случае с процессорами, снижение техпроцесса изготовления памяти даст новым модулям большую энергоэффективность. Естественно, оно же повлияет на размер компонентов, позволив разместить на одной схеме большее их количество.

Кроме 6‑ГБ 10‑нм модуля памяти Galaxy Note 6 может получит 5,8‑дюймовый AMOLED‑дисплей с разрешением 2560×1440 точек, процессор Snapdragon 823 от Qualcomm, аккумулятор на 4 000 мАч и сканер радужки глаза. Впрочем, не все аналитики уверены в оснащении фаблета именно этим типом ОЗУ, ведь его нужно успеть произвести в достаточном количестве. Так что первым гаджетом с данным модулем памяти может стать и флагман 2017‑го — Samsung Galаxy S8.

[via SamMobile]