Некоторые нынешние смартфоны и планшеты уже предлагают 128 ГБ встроенной памяти под данные, однако дальнейшее увеличение объемов может быть ограничено особенностями самой флэш-памяти. Доступные модули на 256 ГБ и более особой компактностью не отличаются, поэтому сейчас актуальными становятся альтернативные технологии, позволяющие расширить объем хранилища без физического увеличения чипа. Одной из таких разработок является резистивная память с произвольным доступом (RRAM).

PRAM 1 TBPRAM 1 TB

Уже сейчас такая технология может работать при комнатной температуре без каких-либо особых условий, что, безусловно, должно заинтересовать производителей мобильных устройств. Ключевым материалом для изготовления модуля RRAM является оксид кремния, который намного энергоэффективнее и обладает невероятной плотностью памяти. К примеру, чип на 1 ТБ имеет размер обычной почтовой марки, а значит, использовать его можно будет не только в планшетах, но и в смартфонах.

Уже сейчас многие современные производители заинтересовались данной разработкой и собираются лицензировать ее для массового производства. Иными словами, первые мобильные устройства с модулями RRAM могут появиться в самое ближайшее время.

[via PhoneArena]